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现代人越来越多数据需要储存,因此意味着需要更大的影象体。Samsung 克日宣布推出业界首个基于 High-K Metal Gate(HKMG)制程的 512GB DDR5 模组,为 DDR5 DRAM 的产物再增一员,其性能是 DDR4 的两倍以上,而且速率可达 7,200 Mbps。

 

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Samsung 克日推出新款的 DDR5 影象体,是业界首个基于 High-K Metal Gate(HKMG)制程的 512GB DDR5 模组。基于 HKMG 手艺的 DDR5,性能是 DDR4 的两倍以上,而且速率可达 7,200 Mbps。而和之前产物相比,新推出的 DDR5 影象体功耗降低约 13%,且透过矽穿孔(TSV)手艺,可以堆叠八层 16Gb DRAM 晶片,实现更大的 512GB 容量。

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Samsung 示意,随着 DRAM 结构不停缩小,绝缘层变薄,使得电流更容易泄露,而接纳 HKMG 手艺,将可以削减电流泄露的时机率并进一步提升影象体性能。Samsung 亦指出,随着数据量生长与日俱增,影象体朝 DDR5 生长绝对会成为一大趋势。而透过 HKMG 手艺所制成的 DDR5,将可知足差异局限的需求。

 

资料泉源:Samsung

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